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Applications des transistors à effet de champ en arséniure de gallium / Robert-Alain Soares

Public ISBD Titre : Applications des transistors à effet de champ en arséniure de gallium Type de document : texte imprimé Auteurs : Robert-Alain Soares, Directeur de publication, rédacteur en chef ; Juan Obregon, Directeur de publication, rédacteur en chef ; Jacques Graffeuil, Directeur de publication, rédacteur en chef Mention d'édition : Editeur : Paris : Eyrolles Année de publication : 1984 Collection : Collection technique et scientifique des télécommunications Importance : 1 vol. (XI-517 p.) Présentation : ill., couv. ill Format : 25 cm Langues : Français (fre) Catégories : [Thesaurus]Sciences et Techniques:Sciences:Physique:Electronique Mots-clés : semi-conducteurs à l'arséniure de gallium  transistors à effet de champ Note de contenu : Références bibliographiques. Index Applications des transistors à effet de champ en arséniure de gallium [texte imprimé] / Robert-Alain Soares, Directeur de publication, rédacteur en chef ; Juan Obregon, Directeur de publication, rédacteur en chef ; Jacques Graffeuil, Directeur de publication, rédacteur en chef  . -   . - Paris : Eyrolles, 1984 . - 1 vol. (XI-517 p.) : ill., couv. ill ; 25 cm. - (Collection technique et scientifique des télécommunications) . Langues : Français (fre) Catégories : [Thesaurus]Sciences et Techniques:Sciences:Physique:Electronique Mots-clés : semi-conducteurs à l'arséniure de gallium  transistors à effet de champ Note de contenu : Références bibliographiques. Index

Exemplaires

Cote	Section	Localisation	Code-barres	Disponibilité	Numero_inventaire
EN99	Electronique	Biblio-ESTO	0000000656103	Disponible	2920
EN99	Electronique	Biblio-ESTO	0000000656203	Disponible	277